武汉理工大学2011年研究生入学考试试题
课程名称  材料科学基础
一、(30分)立方ZnS是立方晶系,根据其晶胞图(图1)回答下列问题:
1、画出ZnS晶胞在(001)面上的投影图;在晶胞图上画出(111)晶面和[111]晶向(建立坐标系);
2、何种离子做何种密堆积?晶胞中有哪几种空隙,空隙利用率分别是多少?何种离子填何种空隙?
3、晶胞分子数是多少?结构中各离子的配位数为多少,写出其配位多面体;
4、结构中S2-电价是否饱和,为什么?
5、对于大多数晶体来说,结合力的性质是属于综合性的,请指出Zn-S键的键性并说明原因;
6、像立方ZnS这类晶体(质点的堆积可以近似地认为是刚性球体的堆积,服从最紧密堆积原理),如何揭示、理解晶体的微观结构及其与晶体性质的关系?
立方ZnS晶胞结构              成核速率和生长速率与过冷度的关系
二、(10分)图2为晶体的成核速率和生长速率与过冷度的关系,请根据图解释玻璃形成的动力学条件。并针对成核速率u解释u-T之间的关系,说明为何会有极值的出现。
三、(15分)比较PbF2PbI2CaF2的表面能大小,当用Ca2+F-依次置换PbI2中的Pb2+I-离子时,相应的表面能和硬度及表面双电层的厚度该如何变化,为什么?
四、(10分)在AB二元系中,组元A具有体心立方结构,熔点为1000℃;组元B具有面心立方结构,熔点为800℃。在500℃存在一个恒温转变:
设室温下AB二个组元互不溶解,试回答:
1、绘出概略的相图。
2、指出SA(B)SB(A)固溶体的晶体结构类型。
五、(25分)根据图3所示ABC三元系统投影图回答下列问题:
1、指出化合物S的性质。
2、用箭头标出各界线的温度下降方向及性质。
3、指出各无变量点的性质,并写出其平衡关系。
4、分析熔体M在平衡条件下的冷却结晶过程(用路径图表示)。
5、图中哪个组成的三元混合物熔点最低?并用线段比表示出其组成。
3  ABC三元系统相图
研究生考试
六、(15分)试讨论从室温到熔融温度范围内,氯化锌添加剂(10-6mol%)对NaCl单晶中所有离子(NaCl)扩散能力的影响。在什么温度范围内Na的本征扩散占优势?(NaClSchttky缺陷形成能E=2.3eV
七、10分)已知铜的熔点Tm1083℃,熔化热△H1628J/cm3,固液界面能γ1.77×105J/cm2,铜为面心立方晶体,点阵常数a0.3615nm
1、当液态金属铜过冷至853℃进行均态形核时,求临界晶核半径和每个临界晶核的原子数(设晶核为球形)。
2、若为非均态形核,求临界球冠的原子数。(设形成球冠的高度为h0.2R,球冠体积R为球冠半径)
八、(10分)实践证明,少量添加物常会明显地改变烧结速度,其中原因之一可能是因为添加物与烧结物形成固溶体。为什么与烧结物能生成固溶体的添加物能促进烧结?在Al2O3烧结中,通常加入少量TiO2Cr2O3促进烧结。当加入TiO2时,烧结温度可以更低。请解释原因(用缺陷方程来表示)。
九、(15分)MgOAl2O3反应制备MgAl2O4时,预先在界面上埋入标志物然后让其进行反应。已知nmnm
1、如果反应是由Mg2+Al3+互扩散进行的,而氧离子不发生迁移,标志物的位置将如何变化?
2、当只有Al3+MgO扩散时,情况又如何?
3、假设热力学条件允许,在哪些情况下标志物将向MgO移动?(至少答出一种)
十、(10分)对于MX型离子晶体(大球为X离子,1价),由于热起伏可能产生如图4所示的种缺陷,请指出这2种缺陷分别是何种缺陷,各自的特征是什么?写出缺陷反应方程式。
       
(a)                                  b
热缺陷产生示意图
武汉理工大学2010年研究生入学考试试题
课程名称  材料科学基础
一、基本概念(30分)
空间利用率和空隙填充率;位错滑移和位错爬移;玻璃网络形成体和玻璃网络外体;穿晶断裂和蠕变断裂;应力腐蚀和晶间腐蚀;初次在结晶和二次在结晶;均态核化和非均态核化;矿化剂。